idc市场指什么，BGP用于哪些地方？
感谢你的提问。BGP是什么？BGP用于哪些地方？
BGP (Border Gateway Protocol)是边界网关协议，它是运行于 TCP 上的一种自治系统（AS）的路由协议，是唯一能够妥善处理不相关路由域间的多路连接的协议。
以国内目前主流的三大运营商为例，中国电信 、中国联通、中国移动和一些拥有AS自治域的大型民营IDC运营商可以通过BGP协议来实现多线互联互通。
举个形象的比喻：你当前所使用的宽带网络是中国电信提供的，你要访问的服务器所在的IDC机房如果使用的是中国移动的宽带，那么当你访问该服务器时，需要从中国电信的宽带网络跨网到中国移动的宽带网络，访问速度就会受到一定的影响。而如果该服务器所在的IDC机房具备BGP协议的多线网络，其中就有一线是中国电信提供的宽带网络，那么根据BGP协议，将自动优先使用中国电信的宽带网络接入服务器，访问速度将会大大是提高。
BGP就好比一个智能APP，可以帮助用户选择最佳的交通形式，并且可以在出现临时问题时，自动帮用户选择最佳的交通方式。
国内IDC机房需要在CNNIC(中国互联网信息中心)或APNIC(亚太网络信息中心)申请自己的IP地址段和AS号，然后将自己的IP地址广播到其它网络运营商的AS中，并通过BGP协议将多个AS进行连接，从而实现可自动跨网访问。此时，当用户发出访问请求后，将根据BGP协议的机制自动在已建立连接的多个AS之间为用户提供最佳路由，从而实现不同网络运营商用户的高速访问同一机房资源。
BGP实现了用户最佳路径的自动选择，即使遇到单条线路故障，BGP依然可以自动引导用户选择最佳的访问路径。
希望我的回答能帮助你解决问题。
IDC可以从哪些方面做好准备？
在 5G 技术与市场新需求的驱动下，作为整个互联网的基石，IDC一方面要积极推进 5G 技术的发展，另一方面要加速云化转型，实现自身业务与技术的并驾齐驱。只有实现全面云化，才能适配客户多样化的需求，在千变万化市场中占得一席之地。
面对5G时代全新的业务特征，ZKEYS依据丰富的行业经验和敏锐的市场嗅觉，从以下三个方面推动IDC企业实现全面云化转型。
1.赋能企业管理
5G时代下，IDC企业重业务、轻运营的传统运营模式缺陷将更加突显，主要表现在整体管理效率低下，日常运营风险颇多等方面。切合市场发展趋势，ZKEYS从市场前端到业务后端，打造了从用户到企业的闭环式业务链条。赋能研发、生产、服务、运营、商务、人资、财务七大模块，将规范化的管理渗透到IDC企业管理的各个环节，推动IDC企业从传统粗放式的人工管理向数字化管理过渡。
2.提供一站式资源池解决方案
5G技术推动数据应用的场景变得丰富，行业客户的需求越来越多元化，IDC必须丰富业务，提供个性化的服务。但巧妇难为无米之炊，IDC普遍缺乏资源。应对资源受限的问题，ZKEYS打造了本地化自生产和云端资源池共享的一站式资源池解决方案，帮助IDC企业更加合理地获取与使用资源，并将更多精力集中于提升个性化服务之上。5G时代下，IDC将逐渐从粗放式的资源竞争中解放出来，转向精细化服务竞争。
3.构建合作共赢的云生态体系
用户需求不断升级，完善云生态体系是当前云市场的主要发展趋势。在此趋势下，ZKEYS充分发挥平台优势，将所有IDC资源打通，并作为桥梁作用，帮助IDC企业实现互相集成，优势互补、强强联合、彼此享受更多的资源与渠道，构建自有的产品与销售网络，共享一个合作共赢的云生态圈。
经营IDC业务需要哪些资质？
IDC资质是主管部门颁发给企业的从业资格证，企业拿到IDC资质就可以开展如机房出租，机架机柜出租、云业务专等等电信业务。IDC资质根据企业业务开展范围的不同分为跨地区idc经营许可证和省内idc经营许可证，审批部门分为工信部、省市属通管局。说到底，有资质是为了合规，但是合规不仅仅只要关注资质，随着监管政策的不断完善，市场准入、市场监管的要求更加细化，网络安全等zhidao级要求不断提高，将给中小IDC企业的经营活动带来重大影响。2020年，可能是中小IDC企业比较艰难的一年。并且，多年来中小IDC企业步履维艰的云化进程，也将遭内遇挫折。ZKEYS平台紧跟监管政策新变化，将监管政策细则落实到管理模块的各个方面，把好每一道关口。在容ZKEYS系统内，终端客户从下单、实名、内容监控到业务完成等全部环节均符合监管政策的要求，我们将帮助IDC企业把安全风险从源头切断，推动IDC企业走向合法合规你自己可以详细去官网看看:https://www.zkeys.com/?utm_source=wu-wk
阿里云在中国市场份额？
IDC最新发布的2021年第一季度中国公有云市场数据显示，季度内IaaS+PaaS市场规模达46.32亿美元(301亿人民币)，其中阿里云排名第一，市场份额为40%，腾讯云、华为云分别位列第二、三名，市场份额均为11%。
近几年我国云计算行业的市场规模和渗透率均在持续增长，使得我国公有云市场进入了一个新的发展阶段。除此之外，在5G商用以及AI等技术发展的推动下，我国公有云市场规模始终保持高速增长趋势。在公有云市场规模不断扩大的过程中，用户对其需求也随着发生改变。为满足客户的需求，市场产品形式发生了相应的变化。目前，公有云服务商针对AI和loT等新技术，并结合国家政策层面上不断推动企业上云的条例，推出了相关产品。例如，腾讯云推出的企业级容器服务平台TKE，通过采用与腾讯公有云容器服务一致的架构和管理模式，可以帮助企业便捷地打通云上的容器服务并获得一致的管理体验。
从公有云细分市场来看，2019年，我国公有云laaS市场规模达到452.6亿元，较2018年增长了67.4%，占公有云市场规模比重达65.66%，预计未来受新基建等政策影响，laaS市场会持续攀高。
RRAM最近怎么没消息了？
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一文读懂RRAM，为啥说它最有希望取代DRAM？
2017-12-12 11:02:06 来源：存储在线
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RRAMDRAM
日前，一年一度的中国存储峰会在北京如期举行，“数据中流击水，浪遏飞舟”是今年大会主题，论道存储未来，让数据释放价值，业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读，干货满满。
下午第三分论坛，中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾，就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM（阻变存储器）性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示，当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)的一个很好的选择。
冯丹从三个方面介绍忆阻器的相关发展，首先是市场需求，IDC预计，到2020年全球的数据量将达到40ZB，数据量强大，另外一方面是对存储的需求，包括高性能计算的存储需求，以及各种各样的网络应用，对存储的需求是速度更快。例如12306，春运时每天超过300亿次PV操作，每秒并发访问1.3 GB的数据，对内存的需求非常大，包括大数据分析等都是放在内存里，而大规模计算所需内存容量将是现在的1000倍，内存需求以及供给存在巨大差距。
忆阻器RRAM最有希望取代DRAM
当前，DRAM以电容器中电荷量的多少来存储数据，电容器必须设计的足够大以增加保留时间，降低刷新频率，这样就导致容量和能耗受限，工艺制程难以下降，而CPU性能的增长速度飞快，内存容量的增长远低于CPU性能的增长速度，也就是通常所说的内存强的问题，另外是能耗问题，随着容量的进一步增大，泄漏功耗进一步的增加，服务器40-50%能耗来自内存，DRAM的能耗中有40%来自刷新。
ITRS报告指出，DRAM很难在20nm技术结点以下保持可扩展性，DRAM工艺在达到X-nm之后将会停止，当DRAM工艺到了几个纳米之后，扩展性受限。冯丹表示，比较包括自旋转移在内的几种存储器，其中最典型的代表就是忆阻变，通过不断的研究发展，当前的RRAM容量很大，速度很快能耗很低，所以也认为RRAM也是下一代代替DRAM的一个很好的选择。
以RRAM为例，用忆阻器来做存储，金属氧化物的存储器的主要原理，首先就是在低阻态状态下，存储器可以使导电丝断掉，成为高阻态，而这个操作时间是比较长的，延迟较大，同样在这种状态下，再加上一定大小的电压，就使得导电丝从高阻态变成了低阻态。
RRAM阵列的结构有两种，一种是交叉点结构，单晶体管单电阻（1T1R）阵列的结构是，在每一个交叉点都需要一个访问晶体管，以独立选通每一个单元。但它的缺点也非常明显，1T1R结构的RRAM的总芯片面积取决于晶体管占用的面积，因此存储密度较低。Crossbar结构也颇受关注，每一个存储单元位于水平的字线（WL）和垂直的位线（BL）的交叉点处。每个单元占用的面积为4F²（F是技术特征尺寸），达到了单层阵列的理论最小值。其优点是存储密度较高，而存在互连线上的电压降和潜行电流路径，造成读写性能下降，能耗上升以及写干扰等问题则是其缺点所在，很多的研究都是围绕这一类展开。
RRAM最大的缺点是其严重的器件级变化性，RRAM器件状态的转变需要通过给两端电极施加电压来控制氧离子在电场驱动下的漂移和在热驱动下的扩散两方面的运动，使得导电丝的三维形貌难以调控，再加上噪声的影响，造成了器件级变化性。器件级变化性是制造可靠的芯片产品的关键问题。
大容量、计算与存储深度融合成为忆阻器的发展趋势
Crossbar结构的RRAM比1T1R结构的RRAM存储容量大，SLC的性能比MLC的性能高，而RRAM原型芯片的存储容量由Mb级逐渐向Gb级发展，技术结点逐渐缩小，读写性能逐渐提高。从容量和读写带宽的发展对比来看，RRAM虽发展较晚，但存储容量增长迅速，相比于PCRAM和STT-MRAM，RRAM在读写带宽当方面更具优势。另一方面，基于忆阻器的神经形态计算系统也在不断发展中，有忆阻器构成的Crossbar阵列可用于加速神经形态计算中常见的矩阵向量乘法，作为一种模拟计算，要想提高计算精度就需要解决Crossbar阵列中互连导线上的电压降以及器件变化所导致的可靠性问题，计算与存储已深度融合。
从器件变化性问题上看，忆阻器的状态变化量近似服从对数正态分布。对此，需要预先测试阵列中所有忆阻器，通过统计它们的阻值状态分布来得到变化性规律。交换权重矩阵的两行或两列，与此同时，交换输入输出向量对应的元素，使得较大的突触权重被映射到具有较小变化性的忆阻器中，从而降低网络输出的变化性。
神经网络的计算规模比较大的时候，传统的二维就要很多的阵列共同计算，能耗增加，采用三维结构之后，柱状电机在同一平面，这样就可以降低整个大规模的神经网络计算的能耗，以及可以实现更低的延迟。此外还可以实现逻辑预算，以满足多变的计算需求。
基于AI的神经网络举证运算，当容量不够时，通过在过大容量的存储空间中做计算，减少数据的移动，能够获得更好的性能。目前，学术界和工业界已推出一些相应的样片，但实际产品还是比较少的。中芯国际和中科院微电子所合作开发了芯片，今年1月，美国Crossbar公司宣布与中芯国际合作开发的40nm工艺的3-D堆叠1TnR阵列的RRAM芯片正式出样，忆阻器真正要到使用还需要经过一段阶段，但是趋势就是大容量。
如何优化大容量RRAM性能？
由于线路电阻和电流泄露IR drop会减小施加在选定单元两端的电压值，而ReRAM单元的RESET延迟和施加在其两端的电压值成指数级反比，IR drop会大大增加访问延迟，为了减小电流泄露，普遍采用半偏置写机制。在缓解IR drop问题上，双端接地电路设计（DSGB），减小了wordline上的IR drop，大大降低了RESET延迟，对于8位写的512×512阵列而言，worst-case RESET延迟 682ns降到240ns 。
采用区域划分的双端写驱动方法，对于8位写的1024×1024阵列而言，不使用DSWD机制的阵列IR drop严重，RESET延迟指数级增大。DSWD机制减小了bitline上的IR drop，提升了512行以上单元的电压，大大降低了RESET延迟。
离write driver近的行在bitline有着较小的IR drop，访问延迟也较小；而离write driver远的行访问延迟较大将crosbar阵列根据不同行的不同延迟，划分为快慢区域。在基于有效电流路径的电压偏置方面，选择离目标单元最近的外围电路对其施加写电压，改善导线上的电压降，降低写延迟；分块对角区域划分：缩小区域内单元访问延迟差异，降低区域的写延迟，不仅在电路方面，针对TLC，忆阻器RRAM可以用编码的方法提高性能。
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